IXFA7N100P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

47 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

9.65 mm

Serie:

IXFA7N100

Typ:

Polar HiPerFET Leistungs-MOSFET

Breite:

10.41 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.6 S

Abfallzeit:

44 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

49 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXFA7N, IXFA7, IXFA, IXF