IXTA64N10L2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

64 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

32 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

100 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

357 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.41 mm

Serie:

L2

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

21 S

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.068654 oz

Tags

IXTA6, IXTA, IXT