FQAF19N60

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3PN-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

380 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

120 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.1 mm

Länge:

16.2 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S

Abfallzeit:

135 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

210 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

150 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

65 ns

Gewichtseinheit:

0.000198 oz

Tags

FQAF19, FQAF1, FQAF, FQA