SIZ916DT-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAIR-6x5-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A, 40 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.3 mOhms, 1.05 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V, 1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, - 16 V

Qg - Gate-Ladung:

26 nC, 160 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

22.7 W, 100 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

GRÖSSE

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

55 S, 116 S

Abfallzeit:

5 ns, 8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns, 55 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns, 44 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns, 36 ns

Tags

SIZ91, SIZ9, SiZ