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SI5980DU-T1-GE3

SI5980DU-T1-GE3
Mfr. #:
SI5980DU-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI5980DU-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR
Teil-Aliasnamen
SI5980DU-GE3
Gewichtseinheit
0.002998 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR ChipFET Dual
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR ChipFet Dual
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
7.8W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
100V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
78pF @ 50V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
2.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
3.3nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
7.8 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
2.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
567 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SI59, SI5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
***ark
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
***i-Key
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
***
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S)
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI5980DU-T1-GE3
DISTI # SI5980DU-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI5980DU-T1-GE3
    DISTI # SI5980DU-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI5980DU-T1-GE3
      DISTI # 78-SI5980DU-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
      RoHS: Compliant      		0
        SI5980DU-T1-GE3Vishay Intertechnologies 909
          Bild Teil # Beschreibung
          SI5980DU-T1-GE3

          Mfr.#: SI5980DU-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI5980DU-T1-GE3

          		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIS990DN-T1-GE3
          SI5980DU-T1-GE3

          Mfr.#: SI5980DU-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI5980DU-T1-GE3-VISHAY

          		 IGBT Transistors MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V
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          0,00 $
          100
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          0,00 $
          500
          0,00 $
          0,00 $
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