IXFE55N50

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Chassishalterung

Paket / Koffer:

ISOPLUS-227-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

47 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

90 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HyperFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.65 mm

Länge:

38.23 mm

Serie:

IXFE55N50

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

25.42 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

120 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

45 ns

Tags

IXFE, IXF