NTQS6463R2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.39 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.5 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

21 S

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.005573 oz

Tags

NTQS, NTQ