IRF7171MTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DirectFET-MN

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

93 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

36 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

104 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.595 mm

Länge:

6.35 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.05 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 S

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

4800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.3 ns

Teil # Aliase:

SP001559758

Tags

IRF71, IRF7, IRF