IRF6643TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DirectFET-MZ

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

29 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

39 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

89 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

DirektFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

6.35 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.05 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

16 S

Abfallzeit:

4.4 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

4800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.2 ns

Teil # Aliase:

SP001570070

Tags

IRF6643, IRF664, IRF66, IRF6, IRF