ZXTP2012ASTOA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

E-Line-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

120 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTN20

DC-Stromverstärkung hFE Max:

100 at 10 mA, 1 V

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZXTP2012A, ZXTP2012, ZXTP201, ZXTP20, ZXTP2, ZXTP, ZXT