STU5N80K5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

IPAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.75 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

60 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Serie:

STU5N80K5

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

14.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.7 ns

Tags

STU5N, STU5, STU