TSM3911DCX6 RFG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal, PNP

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

115 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

15.23 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.15 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

6.19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.73 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36.05 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17.28 ns

Gewichtseinheit:

0.000529 oz

Tags

TSM391, TSM39, TSM3, TSM