2SB1184TLQ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

70 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2SB1184

DC-Stromverstärkung hFE Max:

390

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

5.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

82

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.009185 oz

Tags

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