CGHV59350F

CGHV59350F
Mfr. #:
CGHV59350F
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
RF JFET Transistors GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
CGHV59350F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
CGHV59350F Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
18 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
36 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
145 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
24 A
Ausgangsleistung:
260 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
48 V
Maximale Betriebstemperatur:
+ 250 C
Pd - Verlustleistung:
288 W
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
2 GHz
Produkt:
HF-Leistungstransistor
Serie:
T1G
Typ:
GaN SiC HEMT
Marke:
Qorvo
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1110346
Tags
CGHV59, CGHV5, CGHV, CGH
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V 440217
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
CGHV59350F
DISTI # CGHV59350F-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V 440217
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
2In Stock
  • 1:$1,249.2800
CGHV59350F-TB
DISTI # CGHV59350F-TB-ND
WolfspeedTEST FIXTURE FOR CGHV59350F
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
1In Stock
  • 1:$550.0000
CGHV59350F
DISTI # 941-CGHV59350F
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
RoHS: Compliant
11
  • 1:$1,249.2700
CGHV59350F-TB
DISTI # 941-CGHV59350F-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Compliant
8
  • 1:$550.0000
CGHV59350F
DISTI # CGHV59350F
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 1:$1,249.2700
CGHV59350F-TB
DISTI # CGHV59350F-TB
WolfspeedRF TRANSISTOR TEST FIXTURE
RoHS: Compliant
1
  • 1:$550.0000
Bild Teil # Beschreibung
CGHV59070F

Mfr.#: CGHV59070F

OMO.#: OMO-CGHV59070F

RF JFET Transistors GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
CGHV59350F

Mfr.#: CGHV59350F

OMO.#: OMO-CGHV59350F

RF JFET Transistors GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
CGHV50200F

Mfr.#: CGHV50200F

OMO.#: OMO-CGHV50200F

RF JFET Transistors GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
CGHV50200F-AMP

Mfr.#: CGHV50200F-AMP

OMO.#: OMO-CGHV50200F-AMP

RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
CGHV50200F

Mfr.#: CGHV50200F

OMO.#: OMO-CGHV50200F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 40V 440217
CGHV59070F

Mfr.#: CGHV59070F

OMO.#: OMO-CGHV59070F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V 440224
CGHV59070F-TB

Mfr.#: CGHV59070F-TB

OMO.#: OMO-CGHV59070F-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV59070F
CGHV59350F-TB

Mfr.#: CGHV59350F-TB

OMO.#: OMO-CGHV59350F-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV59350F
CGHV59070F-AMP

Mfr.#: CGHV59070F-AMP

OMO.#: OMO-CGHV59070F-AMP-WOLFSPEED

EVAL BOARD WITH CGHV59070F
CGHV59350F

Mfr.#: CGHV59350F

OMO.#: OMO-CGHV59350F-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 5.2-5.9GHz 350 Watt Gain typ. 10.5dB GaN
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1992
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