FDB082N15A

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

105 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

64.5 nC

Pd - Verlustleistung:

231 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FDB082N15A

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

139 S

Abfallzeit:

26 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

58 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.045856 oz

Tags

FDB082, FDB08, FDB0, FDB