KSB1097RTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

E

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220F-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

7 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200

Höhe:

9.19 mm

Länge:

10.16 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

2000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

KSB1097, KSB109, KSB10, KSB1, KSB