NVF5P03T3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

107 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.75 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

15 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

NTF5P03

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.9 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.008818 oz

Tags

NVF