SBCP56T1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

130 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BCP56

DC-Stromverstärkung hFE Max:

25 at 5 mA, 2 V

Höhe:

1.57 mm

Länge:

6.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.5 mm

Marke:

ON Semiconductor

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1500 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

SBCP56, SBCP5, SBCP, SBC