HUF76419S3ST-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

29 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

23.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

100 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

HUF76419S_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

4.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.3 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.9 ns

Teil # Aliase:

HUF76419S3ST_F085

Gewichtseinheit:

0.046296 oz

Tags

HUF76419S3ST, HUF76419S3, HUF76419S, HUF76419, HUF7641, HUF764, HUF76, HUF7, HUF