PMV65XPER

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

67 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.25 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7.4 S

Abfallzeit:

17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

PMV65XPE, PMV65X, PMV65, PMV6, PMV