DMG4800LK3-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

12 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

8.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.71 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMG4800

Transistortyp:

N-Kanal

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

8.55 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26.33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.03 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

DMG4800LK, DMG480, DMG48, DMG4, DMG