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IPP147N03L G

IPP147N03L G
Mfr. #:
IPP147N03L G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 30V 20A TO220-3 OptiMOS 3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPP147N03L G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
30 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
14.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
31 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
OptiMOS
Verpackung:
Rohr
Höhe:
15.65 mm
Länge:
10 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.4 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
2 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
2.4 ns
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
3.1 ns
Teil # Aliase:
IPP147N03LGHKSA1 SP000266315
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
IPP147N0, IPP147, IPP14, IPP1, IPP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***SourceElectronics
MOSFETNCH30V20ATO2203
***ronik
NCH30V20A15mOhmTO2203RoHSconf
***nell
MOSFETNCH20A30VPGTO2203;TransistorPolarityNChannel;ContinuousDrainCurrentId20A;DrainSourceVoltageVds30V;OnResistanceRdson00123ohm;RdsonTestVoltageVgs10V;ThresholdVoltageVgs;PowerDissipationPd31W;TransistorCaseStyleTO220;NoofPins3Pins;OperatingTemperatureMax175C;MSL;SVHCNoSVHC27Jun2018;CurrentIdMax20A;OperatingTemperatureMin55C;OperatingTemperatureRange55Cto175C;TransistorTypePowerMOSFET;VoltageVgsMax20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPP147N03L G
DISTI # IPP147N03LGIN-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPP147N03LG
    DISTI # IPP147N03LG    		Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 20AI(D),30V,0.0217ohm, 1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,TO-220AB
    RoHS: Compliant    		300 in Stock0 on Order
    • 1:$0.9000
    Bild Teil # Beschreibung
    IPP147N12N3 G

    Mfr.#: IPP147N12N3 G

    OMO.#: OMO-IPP147N12N3-G

    		 MOSFET N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3
    IPP147N03L G

    Mfr.#: IPP147N03L G

    OMO.#: OMO-IPP147N03L-G

    		 MOSFET N-Ch 30V 20A TO220-3 OptiMOS 3
    IPP147N03L G

    Mfr.#: IPP147N03L G

    OMO.#: OMO-IPP147N03L-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
    IPP147N12N3GXK

    Mfr.#: IPP147N12N3GXK

    OMO.#: OMO-IPP147N12N3GXK-1190

    		 Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 - Rail/Tube (Alt: IPP147N12N3GXKSA1)
    IPP147N03LG,147N03L

    Mfr.#: IPP147N03LG,147N03L

    OMO.#: OMO-IPP147N03LG-147N03L-1190

    		 Neu und Original
    IPP147N03LGHKSA1

    Mfr.#: IPP147N03LGHKSA1

    OMO.#: OMO-IPP147N03LGHKSA1-1190

    		 Neu und Original
    IPP147N03LGS

    Mfr.#: IPP147N03LGS

    OMO.#: OMO-IPP147N03LGS-1190

    		 Neu und Original
    IPP147N12N

    Mfr.#: IPP147N12N

    OMO.#: OMO-IPP147N12N-1190

    		 Neu und Original
    IPP147N12N3G,147N12N

    Mfr.#: IPP147N12N3G,147N12N

    OMO.#: OMO-IPP147N12N3G-147N12N-1190

    		 Neu und Original
    IPP147N12N3 G

    Mfr.#: IPP147N12N3 G

    OMO.#: OMO-IPP147N12N3-G-124

    		 Darlington Transistors MOSFET N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    3000
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