ZXTN07012EFFTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23F-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

12 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

20 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

220 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTN07012

DC-Stromverstärkung hFE Max:

500

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

500 at 100 mA, 2 V, 400 at 2 A, 2 V, 330 at 4.5 A, 2 V, 140 at 10 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

2000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZXTN07, ZXTN0, ZXTN, ZXT