EMZ1DXV6T5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

140 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.2 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

357 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

EMZ1D, EMZ1, EMZ