US5U2TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-353T-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

240 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

US5U2

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Teil # Aliase:

US5U2

Gewichtseinheit:

0.000212 oz

Tags

US5U2T, US5U2, US5U, US5