NVLJD4007NZTAG

Mfr. #:: NVLJD4007NZTAG
Hersteller:: ON Semiconductor
Beschreibung:: MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6
Lebenszyklus:: Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:: NVLJD4007NZTAG Datenblatt
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Produkteigenschaft
Attributwert

Hersteller: ON Semiconductor

Produktkategorie: FETs - Arrays

Serie: NVLJD4007NZ

Verpackung: Digi-ReelR Alternative Verpackung

Montageart: SMD/SMT

Paket-Koffer: 6-WDFN Exposed Pad

Technologie: Si

Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart: Oberflächenmontage

Anzahl der Kanäle: 2 Channel

Lieferanten-Geräte-Paket: 6-WDFN (2x2)

Aufbau: Dual

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)

Leistung max: 755mW

Transistor-Typ: 2 N-Channel

Drain-zu-Source-Spannung-Vdss: 30V

Eingangskapazität-Ciss-Vds: 20pF @ 5V

FET-Funktion: Logik-Level-Gate

Strom-Dauer-Drain-Id-25°C: 245mA

Rds-On-Max-Id-Vgs: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V

Vgs-th-Max-Id: 1.5V @ 100μA

Gate-Lade-Qg-Vgs: 0.75nC @ 4.5V

Pd-Verlustleistung: 755 mW

Maximale-Betriebstemperatur: + 150 C

Mindest-Betriebstemperatur: - 55 C

Abfallzeit: 72 ns

Anstiegszeit: 41 ns

Vgs-Gate-Source-Spannung: 10 V

ID-Dauer-Drain-Strom: 245 mA

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Widerstand: 1.4 Ohms

Transistor-Polarität: N-Kanal

Typische-Ausschaltverzögerungszeit: 96 ns

Typische-Einschaltverzögerungszeit: 9 ns

Qg-Gate-Ladung: 0.75 nC

Tags: NVLJD, NVLJ, NVL

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NVLJD4007NZTAG Beschreibung

***Semiconductor: Dual N-Channel Small Signal Gate ESD Protection MOSFET 30V, 245mA, 7Ω

***ical: Trans MOSFET N-CH 30V 0.245A Automotive 6-Pin WDFN EP T/R

***ark: Mosfet, Aec-Q101, Dual N-Ch, 30V, Wdfn; Transistor Polarity:dual N Channel; Continuous Drain Current Id:245Ma; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):1.4Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Powerrohs Compliant: Yes

Market price

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