SPD50P03LGXT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 126 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

47 S

Abfallzeit:

104 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

21.7 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

139 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14.8 ns

Teil # Aliase:

G SP000371908 SPD50P03L SPD50P03LGBTMA1

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

SPD50P03LG, SPD50P03L, SPD50P, SPD50, SPD5, SPD