FDMD8540L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-56-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

33 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 mOhms, 2.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

81 nC, 81 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.3 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

FDMD8540L

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

178 S, 178 S

Abfallzeit:

14 ns, 14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns, 13 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

51 ns, 51 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns, 15 ns

Gewichtseinheit:

0.003346 oz

Tags

FDMD85, FDMD, FDM