FDT86246L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

452 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

4.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.8 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

FDT86246L

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7.3 S

Abfallzeit:

2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.3 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.5 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

FDT8624, FDT862, FDT8, FDT