FQPF8N60CT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.26 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

48 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FQPF8N60C

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

64.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60.5 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

81 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16.5 ns

Teil # Aliase:

FQPF8N60CT_NL

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

FQPF8N60C, FQPF8N60, FQPF8N6, FQPF8N, FQPF8, FQPF, FQP