TK3R1A04PL,S4X

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

82 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

63.4 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

36 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

15 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

83 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Gewichtseinheit:

0.068784 oz

Tags

TK3R1A, TK3R1, TK3R, TK3