BSS215PH6327XT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

105 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

- 3.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

BSS215

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.5 S

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.7 ns

Teil # Aliase:

BSS215P BSS215PH6327XTSA1 H6327 SP000928938

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BSS215PH, BSS215, BSS21, BSS2, BSS