ZXTP25015DFHTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 15 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 15 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 160 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

295 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTP250

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1 mm

Länge:

3.05 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 90 at 4 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1810 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

ZXTP2501, ZXTP250, ZXTP25, ZXTP2, ZXTP, ZXT