2DB1386R-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 250 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2DB13

DC-Stromverstärkung hFE Max:

180 at 500 mA, 2 V

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.48 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

180 at 500 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

2DB1386R, 2DB13, 2DB1, 2DB