IXKC19N60C5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

19 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

125 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

132 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

COOLMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16 mm

Länge:

11 mm

Serie:

IXKC19N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.012346 oz

Tags

IXKC1, IXKC, IXK