PBSS303NX,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UPAK-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

130 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 500 mA, 2 V

Höhe:

1.6 mm

Länge:

4.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.6 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 500 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 250 at 2 A, 2 V, 200 at 4 A, 2 V, 180 at 6 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

2100 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBSS303NX T/R

Tags

PBSS303NX, PBSS303N, PBSS303, PBSS30, PBSS3, PBSS, PBS