IPP90R1K0C3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

900 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

89 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Serie:

CoolMOS C3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

400 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

70 ns

Teil # Aliase:

IPP90R1K0C3XKSA1 IPP9R1KC3XK SP000683094

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

IPP90R1K0, IPP90R1, IPP90R, IPP9, IPP