BUK9Y25-80E,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LFPAK56-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

37 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

22.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

17.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

95 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

15.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17.2 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11.6 ns

Tags

BUK9Y25, BUK9Y2, BUK9Y, BUK9, BUK