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SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3
Mfr. #:
SI2331DS-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI2331DS-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
TrenchFET
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teilestatus
Obsolet
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C
3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ ID
900mV @ 250A
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
710mW (Ta)
Rds On (Max) @ ID, Vgs
48 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tags
SI233, SI23, SI2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI2331DS-T1-GE3
DISTI # SI2331DS-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    Bild Teil # Beschreibung
    SI2331DS-T1-E3

    Mfr.#: SI2331DS-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI2331DS-T1-E3-VISHAY

    		 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
    SI2331DS-T1-GE3

    Mfr.#: SI2331DS-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI2331DS-T1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
    Verfügbarkeit
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    Available
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