SQ4961EY-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

70 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

40 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3.3 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

9 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

SQ496, SQ49, SQ4