SPD04P10P G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

644 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

12 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

38 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SIPMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

SPD04P10

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.2 S

Abfallzeit:

4.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.7 ns

Teil # Aliase:

SP000212230 SPD04P10PGBTMA1 SPD4P1PGXT

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

SPD04P10PG, SPD04P, SPD04, SPD0, SPD