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APT100M50J

APT100M50J
Mfr. #:
APT100M50J
Hersteller:
Microchip / Microsemi
Beschreibung:
Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
APT100M50J Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
APT100M50J DatasheetAPT100M50J Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Mikrochip
Produktkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Y
Produkt:
Leistungs-MOSFET-Module
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Montageart:
Schraubbefestigung
Paket / Koffer:
SOT-227-4
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Rohr
Aufbau:
Single
Höhe:
9.6 mm
Länge:
38.2 mm
Breite:
25.4 mm
Marke:
Mikrochip / Mikrosemi
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Abfallzeit:
90 ns
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
103 A
Pd - Verlustleistung:
960 W
Produktart:
Diskrete Halbleitermodule
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
28 mOhms
Anstiegszeit:
125 ns
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
Handelsname:
POWER MOS 8, ISOTOP
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
280 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
105 ns
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
500 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Gewichtseinheit:
1.058219 oz
Tags
APT100, APT10, APT1, APT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
MOSFET MOS8 500 V 100 A ISOTOP 4 SOT-227 TUBE ROHS COMPLIANT: YES
***et
Trans MOSFET N-CH 500V 103A 4-Pin SOT-227
*** Stop Electro
Power Field-Effect Transistor, 103A I(D), 500V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
APT100M50J
DISTI # APT100M50J-ND		Microsemi CorporationMOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
RoHS: Compliant
Min Qty: 11
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 11:$42.7564
APT100M50J
DISTI # APT100M50J		Microchip Technology IncTrans MOSFET N-CH 500V 103A 4-Pin SOT-227 - Rail/Tube (Alt: APT100M50J)
RoHS: Compliant
Min Qty: 11
Container: Tube		Americas - 0
  • 110:$30.6900
  • 55:$31.1900
  • 33:$32.1900
  • 22:$33.1900
  • 11:$34.3900
APT100M50J
DISTI # 494-APT100M50J		Microchip Technology IncDiscrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8
RoHS: Compliant		1
  • 1:$44.8200
  • 2:$43.6100
  • 5:$42.4000
  • 10:$41.1900
  • 25:$38.2800
  • 50:$37.3400
  • 100:$35.6800
Bild Teil # Beschreibung
APT100M50J

Mfr.#: APT100M50J

OMO.#: OMO-APT100M50J

 Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS8
APT100GLQ65JU2

Mfr.#: APT100GLQ65JU2

OMO.#: OMO-APT100GLQ65JU2

 IGBT Modules CC0101
APT100GN120J

Mfr.#: APT100GN120J

OMO.#: OMO-APT100GN120J

 IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227
APT10086BVRG

Mfr.#: APT10086BVRG

OMO.#: OMO-APT10086BVRG

 MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
APT100GF60JU3

Mfr.#: APT100GF60JU3

OMO.#: OMO-APT100GF60JU3-MICROSEMI

 IGBT Modules
APT10026JFLL

Mfr.#: APT10026JFLL

OMO.#: OMO-APT10026JFLL-1190

 Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin SOT-227
APT1002R4CN

Mfr.#: APT1002R4CN

OMO.#: OMO-APT1002R4CN-1190

 Neu und Original
APT10086SVR

Mfr.#: APT10086SVR

OMO.#: OMO-APT10086SVR-1190

 Neu und Original
APT10090SLL

Mfr.#: APT10090SLL

OMO.#: OMO-APT10090SLL-1190

 Neu und Original
APT10M11LR

Mfr.#: APT10M11LR

OMO.#: OMO-APT10M11LR-1190

 Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
12
Auf Bestellung:
1995
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Der aktuelle Preis von APT100M50J dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
44,82 $
44,82 $
2
43,61 $
87,22 $
5
42,40 $
212,00 $
10
41,19 $
411,90 $
25
38,28 $
957,00 $
50
37,34 $
1 867,00 $
100
35,68 $
3 568,00 $
250
32,61 $
8 152,50 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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