IRF8010SPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

81 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

260 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Smps-MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon / IR

Abfallzeit:

120 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

130 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

61 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

SP001575454

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRF8010S, IRF801, IRF80, IRF8, IRF