TSM2311CX RFG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

900 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Produkt:

Gleichrichter

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

9 S

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Tags

TSM2311CXR, TSM2311C, TSM2311, TSM231, TSM23, TSM2, TSM