IPP139N08N3 G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

45 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

13.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

79 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

48 S, 24 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

IPP139N08N3GXKSA1 SP000680870

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

IPP139N08N3G, IPP139N08N3, IPP139, IPP13, IPP1, IPP