BCX70JT116

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

45 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

45 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.55 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

125 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BCX70

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250 at 2 mA, 5 V

Höhe:

0.95 mm

Länge:

2.9 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.3 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

250

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

BCX70J

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BCX70JT1, BCX70JT, BCX70J, BCX70, BCX7, BCX