CGHV1F006S

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Cree, Inc.

Produktkategorie:

HF-JFET-Transistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

HEMT

Technologie:

GaN

Gewinnen:

16 dB

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:

- 10 V to 2 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

950 mA

Ausgangsleistung:

6 W

Maximale Drain-Gate-Spannung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

-

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-12

Verpackung:

Spule

Anwendung:

-

Aufbau:

Single

Arbeitsfrequenz:

18 GHz

Betriebstemperaturbereich:

- 40 C to + 150 C

Marke:

Wolfspeed / Cree

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Gate-Source-Abschaltspannung:

-

Klasse:

-

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

NF - Rauschzahl:

-

P1dB - Kompressionspunkt:

-

Produktart:

HF-JFET-Transistoren

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

-

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

Transistoren

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 3 V

Tags

CGHV1F00, CGHV1F, CGHV1, CGHV, CGH