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FDP4D5N10C

FDP4D5N10C
Mfr. #:
FDP4D5N10C
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDP4D5N10C Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
128 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
4.5 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
68 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
150 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Marke:
ON Semiconductor
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
134 S
Abfallzeit:
13 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
49 ns
Werkspackungsmenge:
800
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
41 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
29 ns
Tags
FDP4, FDP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Shielded Gate PowerTrench MOSFET N-Channel 100V 128A 4.5m Ohm 3-Pin TO-220 Tube
***ical
Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
***ark
MOSFET, N-CH, 100V, 128A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:128A; On Resistance Rds(on):0.004ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDP4D5N10C
DISTI # V99:2348_21690341		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL800
  • 100:$4.6490
  • 25:$4.8949
  • 10:$5.3390
  • 1:$6.4691
FDP4D5N10C
DISTI # V36:1790_21690341		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL0
    FDP4D5N10C
    DISTI # FDP4D5N10C-ND    		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL
    RoHS: Not compliant
    Min Qty: 800
    Container: Tube    		Temporarily Out of Stock
    • 800:$3.8128
    FDP4D5N10C
    DISTI # 31263261    		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL800
    • 100:$4.9708
    • 25:$5.2546
    • 10:$5.7233
    • 3:$6.9472
    FDP4D5N10C
    DISTI # FDP4D5N10C    		ON SemiconductorShielded Gate PowerTrench MOSFET N-Channel 100V 128A 4.5m Ohm 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: FDP4D5N10C)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 800
    Container: Tube    		Americas - 0
    • 4800:$2.6900
    • 8000:$2.6900
    • 800:$2.7900
    • 1600:$2.7900
    • 3200:$2.7900
    FDP4D5N10C
    DISTI # 65AC4707    		ON SemiconductorFDP4D5N10C0
    • 500:$2.8500
    • 250:$2.9400
    • 100:$3.5000
    • 50:$4.0500
    • 25:$4.3100
    • 10:$4.9300
    • 1:$5.6900
    FDP4D5N10C
    DISTI # 863-FDP4D5N10C    		ON SemiconductorMOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$5.8000
    • 10:$4.9300
    • 100:$4.2700
    • 250:$4.0500
    • 500:$3.6400
    • 1000:$3.0700
    • 2500:$2.9100
    FDP4D5N10C
    DISTI # 1811859    		ON SemiconductorFET 100V 4.5 MOHM, TU798
    • 1600:£2.1450
    • 800:£2.2980
    FDP4D5N10CON Semiconductor 500
    • 1:$7.9300
    • 100:$5.0700
    • 500:$4.1800
    • 1000:$3.8400
    Bild Teil # Beschreibung
    FDP4D5N10C

    Mfr.#: FDP4D5N10C

    OMO.#: OMO-FDP4D5N10C

    		 MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
    FDP4D5N10C

    Mfr.#: FDP4D5N10C

    OMO.#: OMO-FDP4D5N10C-ON-SEMICONDUCTOR

    		 FET ENGR DEV-NOT REL
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    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    4000
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    Der aktuelle Preis von FDP4D5N10C dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    5,80 $
    5,80 $
    10
    4,93 $
    49,30 $
    100
    4,27 $
    427,00 $
    250
    4,05 $
    1 012,50 $
    500
    3,64 $
    1 820,00 $
    1000
    3,07 $
    3 070,00 $
    2500
    2,91 $
    7 275,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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