APTM10HM19FT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

SP-32

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Rohr

Aufbau:

Single

Höhe:

11.5 mm

Länge:

73.4 mm

Breite:

40.8 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

125 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

70 A

Pd - Verlustleistung:

208 W

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

19 mOhms

Anstiegszeit:

70 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Handelsname:

LEISTUNGSMOS V

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

95 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Tags

APTM10H, APTM10, APTM1, APTM, APT