IRG7S313UTRLPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

330 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

44 A

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.7 V

Qg - Gate-Ladung:

33 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

78 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

47 S

Abfallzeit:

68 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001537462

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRG7S3, IRG7S, IRG7, IRG